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    电子科学与技术学科
    日期:2024-09-23 作者:admin 浏览次数:

    一、学科发展历程与基本情况

    西安理工大学是金沙城线路检测中心国首批获得博士、硕士、学士学位授予权的高校之一,是国家“中西部高等教育振兴计划”入选高校,工信部与陕西省共建高校,陕西省重点建设的高水平大学,陕西省国家“双一流”培育高校。学校的前身是北京机械学院和陕西工业大学。1972年,北京机械学院和陕西工业大学合并组建陕西机械学院,隶属第一机械工业部。1994年,学校更名为西安理工大学。

    西安理工大学是金沙城线路检测中心国最早开始半导体类专业的高校之一。上世纪60年代北京机械学院工厂(西安理工大学工厂的前身)和中国科学院半导体研究所合作,研制成功金沙城线路检测中心国第一台拉制硅锗单晶的TDK-36型单晶炉,并且成功拉制出了金沙城线路检测中心国第一根无位错的硅单晶,打破了当时发达国家对金沙城线路检测中心国的经济技术封锁。基于金沙城线路检测中心校在半导体材料与设备领域的深厚积淀,前校长陈治明(师从中国半导体材料科学奠基人林兰英院士)、聂代祚教授等前辈于1972年创办了半导体物理与器件专业,开展半导体晶体生长设备及功率半导体器件领域的科学研究和人才培养。1990年获批半导体器件与微电子学硕士学位授予权(后更名微电子学与固体电子学),2000年获批微电子学与固体电子学博士学位授予权,2007年建立电子科学与技术博士后流动站,2009年获批电子科学与技术国家特色专业2011年获得电子科学与技术一级学科博士学位授予权(省属高校唯一,陕西省优势学科),2019年获批首批国家一流专业建设点2020年通过工程教育认证专业,2024年获得电子信息工程博士学位授予权。西安理工大学电子科学与技术学科先后培养了各层次人才5800余人。

    电子工程系电子科学与技术学科拥有博士、硕士一级学科学术学位授权点,电子信息(集成电路工程)专业学位授权。电子学科下设电子科学与技术(国家级一流本科专业)、微电子科学与工程(陕西省一流本科专业)和集成电路设计与集成系统(战略新兴专业)三个本科专业,年均招生200人左右。学科招收电子科学与技术博士、学术硕士,电子信息(集成电路工程方向)专业学位博士、硕士,研究生年均招生150人左右。

    学科现有专职教师49人,其中教授10人,高工/副教授16人,具有博士学位的教师比例为96%;陕西省教学名师2人,陕西省科技创新团队2个,陕西省科技新星1人,陕西省高校杰出青年2人,陕西省青年托举人才1人。学科建有全国示范性研究生联合培养实践基地、陕西省新能源功率半导体器件及智能系统工程研究中心、陕西省军民两用集成电路设计中心、陕西省实验教学示范中心、西安市新型电力电子器件重点实验室等教学、科研平台;获批建设陕西省教学团队、人才培养模式创新实验区。

    获国家一流课程1门、国家精品课和精品资源共享课3门次、省一流本科课程6门、精品资源共享课3门,国家十二五规划教材2部、高层次出版社教材10余部,陕西省优秀教材一等奖1项;教学资源被江苏大学等30余家兄弟院校采用,专业和课程建设等经验被邀多次在电子信息类教指委会议做报告。近3年有近100名学生参与企业工程项目,获省优秀毕设论文奖10项;学生近3年100%参与各级竞赛,获省级以上奖励100多人次。

    二、学科方向

    科在陈治明、高勇教授等前辈的带领下,围绕半导体材料制备与设备、大功率半导体器件及功率集成、信息感知与处理芯片技术与系统、电磁理论及应用研究等方向形成优势特色,先后承担国家级重大、重点项目60余项,获得省部级以上科技奖励40余项。学科聚焦国家、地方发展战略需求,以服务国家、服务行业为己任,以人才培养为根本,围绕学科特色方向,开展科学研究、技术攻关和企业技术服务等工作,促进科技成果转化和行业学术交流,为经济社会发展和国防军队建设作出突出贡献。

    学科拥有功率半导体器件和SiC材料生长超净工艺线2条,面积3120平米,设备总值3000余万元;具备完善的功率半导体器件、材料及电路的制造与测试实验条件;具有半导体材料生长、工艺、器件、集成电路、电磁仿真软件;具有矢量网络分析仪、频谱仪、卫星导航信号模拟器、长波导航授时接收机等电磁场与微波技术、导航授时研究基础设备。

    学科方向一:半导体材料制备与设备

    学科围绕大尺寸SiC晶体生长关键技术,开展缺陷抑制和晶体品质提升方法及生长设备研究;进一步布局和研究Ga2O3、金刚石、BP、GaN、SiGe、有机半导体等新型半导体材料的基础理论、制备技术和器件应用,在光电器件、传感器件、功率器件、二维异质器件等领域形成研究特色。

    学科方向二:大功率半导体器件及功率集成

    学科聚焦硅基及宽禁带半导体大功率器件的结构创新与可靠性研究。主要包括IGCT、IGBT、FSRD、MCT及脉冲晶闸管等硅基器件的新结构与可靠性研究,SiC MOSFET与SiC光控晶闸管的机理分析与结构优化,以及SiC MOSFET模块和GaN功率器件的驱动保护技术、专用芯片和智能功率模块的关键技术研究。

    学科方向三:信息感知与处理芯片技术与系统

    学科致力于物联网应用中的终端SoC系统关键技术研究,涵盖深度学习轻量化算法、SoC技术及终端传感器的开发;针对大面阵CMOS图像传感器的光电转换效率及大数据处理瓶颈,研究高速高精度超大规模混合信号集成电路设计技术;并围绕TSV三维集成技术,开展射频微系统的小型化实现及多场耦合可靠性研究。

    学科方向四:电磁理论及应用研究

    学科聚焦复杂环境下电波传播、电磁场数值计算、通信天线与滤波器等关键器件的新设计与材料研究;同时针对导航接收,研究抗干扰、高灵敏和高动态信号处理技术,并开展卫星导航及低频/甚低频无线授时导航的信号体制、信号模拟与高性能接收技术研究。


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